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    介電常數(shù)測(cè)試儀應(yīng)用范圍和介紹

    點(diǎn)擊次數(shù):2235  更新時(shí)間:2021-06-21

    應(yīng)用范圍:
    測(cè)量絕緣材料的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗系數(shù)(介質(zhì)損耗角正切值)
    技術(shù)參數(shù):

    序號(hào)項(xiàng)目參數(shù)
    1信號(hào)源DDS數(shù)字合成 10KHZ-70MHz
    2調(diào)諧電容主電容30-500PF
    3調(diào)諧電容誤差和分辨率±1.5P或<1%< p="">
    4Q測(cè)量范圍1-1000自動(dòng)/手動(dòng)量程
    5Q測(cè)量工作誤差<5%< p="">
    6Q分辨率4位有效數(shù),分辨率0.1


    儀器自動(dòng)扣除殘余電感和測(cè)試引線電感。大幅提高測(cè)量精度。
    大電容值直接測(cè)量顯示。
    參照標(biāo)準(zhǔn):ASTM D150-11實(shí)心電絕緣材料的交流損耗特性和電容率(介電常數(shù))的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法;
    GB/T1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法;

    GB/T1693-2007硫化橡膠介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測(cè)定方法;

    GBT5594.4-2015電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法第4部分:介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測(cè)試方法;

    GB/T 1693-2007、ASTM D150-11、GB/T1409-2006、GBT5594.4-2015介電性能測(cè)試儀 GB/T 1693 ASTM D150是各種金屬氧化物,板材,瓷器(陶器),云母,玻璃,塑料等物質(zhì)的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)。通過(guò)測(cè)定可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù)。該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無(wú)機(jī)金屬新材料性能的應(yīng)用研究。

    產(chǎn)品介紹:
    介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種金屬氧化物,板材,瓷器(陶器),云母,玻璃,塑料等物質(zhì)的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)。通過(guò)測(cè)定可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù)。該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無(wú)機(jī)金屬新材料性能的應(yīng)用研究。

    介電常數(shù)測(cè)試儀術(shù)語(yǔ)

     定義:

    這些試驗(yàn)方法所用術(shù)語(yǔ)定義以及電絕緣材料相關(guān)術(shù)語(yǔ)定義見術(shù)語(yǔ)標(biāo)準(zhǔn)D1711。

    本標(biāo)準(zhǔn)專用術(shù)語(yǔ)定義:

    電容,C,名詞——當(dāng)導(dǎo)體之間存在電勢(shì)差時(shí),導(dǎo)體和電介質(zhì)系統(tǒng)允許儲(chǔ)存電分離電荷的性能。

    討論——電容是指電流電量 q與電位差V之間的比值。電容值總是正值。當(dāng)電量采用庫(kù)倫為單位,電位采用伏特為單位時(shí),電容單位為法拉,即:

    C=q/V           (1)

    耗散因子(D),(損耗角正切),(tanδ),名詞——是指損耗指數(shù)(K'')與相對(duì)電容率(K')之間的比值,它還等于其損耗角(δ)的正切值或者其相位角(θ)的余切值(見圖1和圖2)。

    D=K''/K'     (2)

    4 相關(guān)ASTM標(biāo)準(zhǔn),ASTM標(biāo)準(zhǔn)手冊(cè)卷次信息,可參見ASTM網(wǎng)站標(biāo)準(zhǔn)文件匯總。

    5 該歷史標(biāo)準(zhǔn)的較后批準(zhǔn)版討論——a:

    D=tanδ=cotθ=Xp/Rp=G/ωCp=1/ωCpRp        (3)

    式中:

    G=等效交流電導(dǎo),

    Xp=并聯(lián)電抗,

    Rp=等效交流并聯(lián)電阻,

    Cp=并聯(lián)電容,

    ω=2πf(假設(shè)為正弦波形狀)

    耗散因子的倒數(shù)為品質(zhì)因子Q,有時(shí)成為儲(chǔ)能因子。對(duì)于串聯(lián)和并聯(lián)模型,電容器耗散因子D都是相同的,按如下表示為:

    D=ωRsCs=1/ωRpCp        (4)

    串聯(lián)和并聯(lián)部分之間的關(guān)系滿足以下要求:

    Cp=Cs/(1 D2)             (5)

    Rp/Rs=(1 D2)/D2=1 (1/D2)=1 Q2             (6)

    聯(lián)系人:陳丹
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